2017年2月16日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于升特（Semtech）的LoRa™长距离无线技术的温度侦测解决方案。Semtech的LoRa™具有超长距离扩频通信，抗干扰性强，电池低功耗以及低成本的性能。SX1276采用低成本的晶体和物料就可以获得超过-148dBm的高灵敏度，大幅度的增加传感器部件的范围。此外，LoRa™能够减少Repeater用量，延长使用时间。待机电流低至2.5μA，比GPRS的耗电量更低，可减小电池体积而增加其传感器待机时间。高灵敏度与+20dBm功率放大器的集成使这些期间的链路预算达到了行业领先水平，成为远距离传输和对可靠性要求极高的应用的最佳选择。大联大友尚正是基于LoRa™的超长距离及低成本等特性，此方案以Semtech的SX1276和ST的STM8L151K4为核心器件构成，SPI接口让用户将数据及控制信号与Semtech SX1276沟通后送置天线后发送LoRa™信号至远程。此方案以最佳的性价比同时将低功耗和长距离二者兼得，解决了传统设计的具体方案无法同时兼顾距离、抗干扰和功耗的问题。图示3-大联大友尚推出的Semtech LoRa™长距离无线技术的温度侦测解决方案方块图LoRa™调制解调器；最大链路预算可达168dB；+20dBm-100mW电压变化时恒定的射频功率输入；+14dBm的高效率功率放大器；可编程比特率高达300kbps；高灵敏度：低至-148dBm；9.9mA低接收电流；200nA寄存器保持电流。

  1 引言 大功率半导体激光器具有高转换效率、高可靠性及较长的常规使用的寿命，在泵浦固体激光器、打印、材料加工、通信等方面都存在广泛的应用。但是，尽管半导体激光器具有较高的转换效率，还是有大部分的电功率被转化成了热，导致激光二极管工作结温升高。而温度上升必然带来半导体激光器阈值电流增加、发射波长红移，造成模式的不稳定，同时还增加了内部缺陷，对器件的寿命有严重影响［1］ 。因此，对半导体激光器热特性的研究具备极其重大意义。在对半导体激光器进行热分析和模拟方面，前人已做过大量工作。R Puchert等人［2］对大功率半导体激光器阵列在连续驱动条件下的瞬态温度分布进行了模拟和分析，还有很多国内外文献［3-4］ 对激光器单管的稳态和瞬态温度分布

  2016年6月29日，医疗设施厂商MU和横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM)联合宣布，MU的US-304便携式超声成像诊断仪采用意法半导体的STHV800 pulser脉冲发生器，大幅度的提高非洲偏远农村地区的医疗服务品质。 MU便携诊断仪的设计目的是支持 急救车（Doctor Car） 流动诊室项目，为非洲偏远农村地区提供医疗服务。在这一个项目中，医护工作者通过一辆装备远程医疗系统的特种车，为缺少医疗设施的偏远农村地区的居民提供医疗诊断服务。便携超声诊断仪获取的数据通过移动网络送到大城市的医疗中心，进行详细的医学诊断，辅助医务人员确定合理

  (ST) 合作开发微型超声诊断仪 /

  2017年4月27日 —— Imagination Technologies (IMG.L)确定其半导体IP技术在中国会有很好的发展机遇，并在该地区加大投入迎接机遇。过去一年，Imagination 在上海，北京的团队稳步发展，未来一年还将有望增长 50%。下面就随半导体小编共同来了解一下相关联的内容吧。 Imagination 副总裁兼中国区总经理刘国军表示：“Imagination 建立了强大的全球发展的策略，重点是提供领先的、颠覆性的 IP 解决方案。中国是我们最重要的战略地区之一，我们逐步扩大并优化在当地的团队。我们始终相信中国半导体公司及其 OEM 客户能通过采用 Imagination 的 IP 实现真正的差异化。我们正在

  英特尔公司45nm工艺技术的主要特征是采用铪基高k介电材料，将氮化钛(TiN)用于PFET取代栅极，并将TiN阻挡层与一种功函数调整金属组成的合金用于NFET取代栅极。 英特尔公司的45nm HKMG(高k金属栅极)技术的一些重点在于：高k栅极先加工、金属栅后加工的集成方式；氧化铪栅极介电材料(1.0nm EOT)；以及双带边功函数金属栅极(TiN 用于 PMOS，TiAlN 用于 NMOS)。栅极后加工集成是一个重点，需要在英特尔公司工艺流程中作进一步说明。 上面提到的“先加工”和“后加工” 是指按照多晶硅积淀工艺形成高k栅极和金属栅极的顺序。目前众所周知的是，英特尔公司在45nm节点采用了一种栅极后加工或取代

  间：2014年3月17日 05:31 近年来，二维晶体材料因其优越的电气特性，成为半导体材料研究的新方向。继石墨烯、二硫化钼之后，本月初，在《自然·纳米技术》杂志 上，复旦大学物理系张远波教授课题组发现了一种新型二维半导体材料——黑磷，并成功制备了相应的场效应晶体管器件，它将有可能替代传统的矽，成为电子线路的基本材料。 二维晶体是由几层单原子层堆叠而成的纳米厚度的平面晶体，比如大名鼎鼎的石墨烯，但是石墨烯没有半导体带隙，即分隔电子导电能带(导带)和非导电能带(价带)之间的无人禁区，也就是说它难以完成导体和绝缘体之间的转换，不能够实现数字电路的逻辑开与关。同样由单原子层堆叠而成的黑磷，则具有一个半导体带隙。 “两

  晶圆检测设备制造商科磊(KLA-Tencor Corporation)3月19日宣布与以色列自动光学检测(AOI)系统供货商奥宝科技(Orbotech Ltd.)签订最终协议：科磊将以每股69.02美元的价格(包括每股38.86美元的现金以及0.25股的科磊普通股)收购Orbotech。 该交易分别赋予Orbotech 34亿美元的股权价值以及32亿美元的企业价值，股权价值比纽约周五收盘价高出15％。科磊表示，若顺利获得Orbotech股东同意以及监管单位的批准、今年底以前可望完成所有并购的程序。 此外，KLA-Tencor还宣布了20亿美元的股票回购授权，股票回购计划的目标是在交易结束后的12至18个月内完成。 官网显示，奥宝科

  欧洲与日本在全球半导体产业中均占有举足轻重的地位。但金融海啸过后，一场大衰退不仅打乱了全球经济秩序，也改变了半导体产业的既有板块。支撑着欧洲和日本半导体产业的主要厂商们各自遭遇了不同的打击，无论致力于企业瘦身或整并以壮大实力，未来大型半导体厂商们都面对着愈来愈艰难的道路。 欧洲：势力缩减，但前景依然乐观 长久以来，欧洲已经习惯有三家芯片公司名列全球前10大芯片供货商名单：意法半导体(STMicroelectronics)；恩智浦半导体(NXP Semiconductors)；以及英飞凌科技(Infineon Technologies AG)。 但从2008到2009年，这些领先的半导体业者陆续展开

  8月1日消息，前不久商务部宣布对镓、锗相关物项实施出口管制，未经许可不得出口，从8月1日开始这个限制正式生效了。 这两种都是半导体行业中的关键材料之一，而且中国都是全球储量及产量最大的，对半导体影响有重要影响。 受此消息影响，全球的镓、锗价格慢慢的开始上涨，不过此前涨幅并不算夸张，今天正式限制之后还有待观察。 全球最大的镓采购商弗莱伯格复合材料公司此前表示客户正在疯狂囤积这些材料，整个行业非常紧张。 至于对半导体行业的影响，此前台积电及英飞凌等半导体公司都表态过，台积电称原材料镓和锗的出口限制不会对台积电的生产产生任何直接影响，将继续重视事态发展。 英飞凌也表示中国对镓和锗的相关出口管制目前不会对公司的原材料供应和制造能力产生重

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